）的先进封装解决方案，允许将多个芯片集成到单个封装中。它是在介电层顶部创建图案化金属层的过程，该金属层将 IC 的输入/输出 （I/O） 重新分配到新位置。新位置通常位于芯片的边缘，这允许使用标准表面贴装技术 （SMT） 将 IC 连接到印刷电路板 （）。RDL 技术使设计人员能够以紧凑、高效的方式放置芯片，从而减少器件的整体尺寸。
在芯片设计和制造中，再分布层 （RDL） 在扩展和互连 XY 平面方面发挥着关键作用。如下图是CoWoS-R的图示，这是台积电开发的一种3D集成技术，可在单个封装中堆叠多个芯片。（来源：台积电）
(1). 重新分配 I/O 连接: I/O（输入/输出）焊盘是芯片引脚处理模块，通常分布在芯片的边缘或外围。它们可以处理芯片引脚的信号，并在处理后将芯片的信号输出到引脚。RDL 有助于将 I/O 连接从芯片重新分配到封装。RDL 将芯片上的焊盘连接到封装引线或焊球，从而简化组装和提高 IC 的性能。
这对于键合线工艺来说自然是方便的，但对于倒装芯片来说却有些挑战。因此，RDL成为这一时刻的关键。它在芯片表面沉积金属层和相应的介电层，形成金属线，并将IO端口重新设计到一个新的、更宽敞的区域，形成表面阵列布局。
(2). 路由信号和电源: 此外，RDL还提供了一种在IC内路由信号和电源的方法。随着IC变得越来越复杂，需要更多的I/O连接，RDL的使用变得越来越重要。它们用于广泛的应用，例如微处理器、存储芯片和传感器。
(3). 减少占用面积: RDL 技术允许将多个芯片集成到单个封装中，从而减小器件的整体尺寸。这使设计人员能够创建更小、更紧凑的电子设备，这对于智能手机、可穿戴设备和物联网设备等应用至关重要。
(4). 提高电气性能: RDL 技术使设计人员能够以紧凑而高效的方式放置芯片，从而缩短互连的长度。这反过来又减少了信号延迟并提高了器件的电气性能。RDL技术还降低了寄生电容和电感，从而提高了器件的信号完整性。
(5). 降低成本: RDL技术消除了引线键合和倒装芯片键合的需要，这些工艺既昂贵又耗时。RDL技术还减少了器件所需的元件数量，从而进一步降低了器件的成本。RDL 技术是一种经济高效的解决方案，用于创建需要小尺寸的高性能 ICBsport体育。
RDL 技术是一个复杂的过程，涉及许多步骤，例如介电沉积、金属沉积、图案化和蚀刻。再分布层技术基于工艺来说，一般有两种类型的再分布层 （RDL） 技术：扇入和扇出。扇入式 RDL 技术用于封装单个芯片，而扇出式 RDL 技术用于封装多个芯片。
(1). 扇入式 RDL 技术：扇入式 RDL 技术用于封装单个芯片。扇入式 RDL 技术也称为晶圆级封装 （WLP），它是直接在晶圆上建立封装的过程。扇入式 RDL 技术是一种经济高效的解决方案，用于创建小型和薄型封装。
扇入式 RDL 工艺用于生产先进的封装解决方案，例如晶圆级芯片级封装 （WLCSP） 和系统级封装 （SiP） 设计。它允许更高的集成度、更小的外形尺寸和更高的半导体器件性能。该过程涉及以下多个步骤：
该过程从进料晶圆开始，然后在步骤 1 中涂覆PI（光刻胶绝缘体）。接下来是第 2 步的 PI 曝光、第 3 步的 PI 显影以及第 4 步的 PI 固化。
在步骤5中，将种子层溅射到晶圆上，然后在步骤6中涂上抗蚀剂。然后在步骤7中暴露光刻胶，在步骤8中显影，并在步骤9中镀上RDL。
之后，在步骤10中剥离光刻胶，并在步骤11中将干膜层压到晶圆上。然后在步骤12中暴露干膜，并在步骤13中显影。接下来，在步骤14中将铜柱镀在晶圆上，并在步骤15中剥离干膜。
在步骤16中，对种子层进行蚀刻，在步骤17中，创建正面模具。然后在步骤18中固化模具，并在步骤19中对晶圆进行机械抛光。最后，在步骤20中，多余的铜被蚀刻回去，完成扇入式RDL工艺流程。
扇入式 RDL 技术适用于传感器、MEMS器件、射频器件、微处理器和存储器件等应用。
(2). 扇出 RDL 技术：扇出 RDL 技术用于封装多个芯片。扇出 RDL 技术也称为晶圆级扇出 （WLFO），它是在重组晶圆上创建封装的过程。扇出式 RDL 技术是一种经济高效的解决方案，用于创建具有小尺寸的高性能封装。
与扇入式 RDL 工艺类似，扇出式 RDL 工艺也是一种创建具有更多连接的更小、性能更高的芯片封装的方法。以下是制造步骤：
5a. 晶圆模具：将芯片附着在载体晶圆上的晶圆用介电材料模制而成，形成扇出结构。
5b. 载体和临时胶粘剂去除：将载体晶圆从扇出晶圆上取下，并去除过程中使用的任何临时胶粘剂。
聚合物1 成像/显影/固化：使用光刻技术对聚合物层进行图案化，以创建所需的 RDL 结构形状和尺寸。
RDL种子层溅射：使用溅射在聚合物层的顶部沉积一层薄薄的铜或其他导电材料。
光刻胶成像/显影：使用光刻技术对光刻胶层进行图案化，以创建所需的 RDL 结构形状和尺寸。
RDL铜图案板：使用电镀将铜沉积在种子层的暴露区域的顶部，从而形成所需的RDL图案。
聚合物2 成像/显影/固化：使用光刻技术对聚合物层进行图案化，以创建所需的形状和尺寸的 UBM 结构。
UBM晶种层溅射：使用溅射在聚合物层的顶部沉积一层薄薄的铜或其他导电材料。
光刻胶成像/显影：光刻技术对光刻技术对光刻胶层进行图案化，以创建所需的 UBM 结构形状和尺寸。
UBM图案板：使用电镀将铜沉积在种子层的暴露区域的顶部，从而形成所需的UBM图案。
回流焊：将焊球加热熔化，并在 UBM 焊盘和外部引线或凸块之间形成连接。
扇出 RDL 技术适用于图形处理器、片上系统 （SoC）、存储设备、功率器件和LED器件等应用。
WLCSP (Wafer-level Chip Scale Package)此封装形式的
）将I/O焊盘重新分配到凸点焊盘，整个过程不会改变I/O焊盘布局。然而，传统布线能力可能不足以处理大规模的设计，因为在这些设计
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